1、砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。

2、黑灰色固体，熔点1238℃。

3、它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。

(相关资料图)

4、砷化镓是一种重要的半导体材料。

5、属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。

6、属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。

7、砷化镓于1964年进入实用阶段。

8、砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。

9、由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。

10、用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。

11、此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。

12、砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。

13、中益兴业砷化镓薄膜太阳能电池即是一种高效的太阳能转电能的新型量产技术。

14、虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。

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